Infineon英飞凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模块

发布时间:2024-03-05 11:33:44     浏览:2473

Infineon英飞凌 EasyDUAL 2B (易双双? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶体管半桥模块是一款1200V的高性能产品,具有11 mΩ G1的极低电阻,集成了NTC温度传感器、PressFIT压接接触技术和预涂热界面材料。

Infineon英飞凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模块

**特征描述**:

- 封装高度为12mm,具备一流的封装设计。

- 使用前沿的WBG材料(宽禁带能带材料)。

- 模块内部的杂散电感很低,有助于提高性能。

- 采用增强型CoolSiC? MOSFET Gen 1技术。

- 扩大的栅极驱动电压窗口。

- 栅源电压范围为+23 V 和 -10 V。

- 在高达175°C的过载条件下,具备出色的TVJOP(结温钳位)性能。

- 使用PressFIT压接针进行连接。

- 集成了NTC温度传感器。

**优势**:

- 出色的组件效率,能够提供高效的工作表现。

- 具备系统成本优势,可降低整体开销。

- 提高系统效率,使系统更加节能。

- 降低冷却要求,减少散热需求。

- 支持实现更高的工作频率。

- 提高功率密度,实现更小体积的设计。

**应用领域**:

- 不间断电源(UPS)。

- 储能系统。

- 电动汽车快速充电。

- 燃料电池DC/DC升压转换器。

- 太阳能系统解决方案。

参数:

参数FF11MR12W2M1HP_B11
应用储能系统 ; 电动汽车充电器 ; UPS不间断电源 ; 太阳的
配置半桥
尺寸(长度)62.8 毫米
尺寸(宽度)48 毫米
特征PressFIT ; TIM
HousingEasy 2B
资格工业
RDS(开)(@ Tj = 25°C)10.8毫安

相关推荐:

Infineon英飞凌集成DC-DC POL转换器介绍及选型 

Infineon OPTIREG? 汽车线性稳压器介绍及选型 

Infineon英飞凌高功率600V/650V碳化硅二极管 

Infineon英飞凌射频变容二极管和调谐器 

Infineon英飞凌XC2000系列汽车微控制器 

Infineon英飞凌IPM智能功率模块 

更多Infineon英飞凌 相关产品信息可咨询cq9电子官网入口创展

推荐资讯

  • Microsemi 1N6036A至1N6072A双向瞬态电压抑制器TVS
    Microsemi 1N6036A至1N6072A双向瞬态电压抑制器TVS 2024-11-20 10:21:17

    Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管,具有1500W的高脉冲功率和快速响应时间,适用于保护电子设备免受感性切换、射频感应或雷击效应的影响。这些产品提供5.5V至185V的工作电压范围,采用密封的DO-13金属封装,并提供符合MIL-PRF-19500/507标准的军事等级选项以及RoHS合规的商业等级。它们广泛应用于ESD、EFT和雷击保护,具有广泛的温度工作范围和高可靠性,是高可靠性应用的理想选择。

  • Broadcom BCM85658:PCIe Gen5与CXL 2.0重定时器
    Broadcom BCM85658:PCIe Gen5与CXL 2.0重定时器 2024-08-07 09:33:50

    Broadcom BCM85658是一款8通道PCIe Gen5和CXL 2.0重定时器,支持32 GT/s传输速度,扩展传输范围超过40 dB。支持多种数据速率和通道配置,具备低延迟和低功耗特性,适用于HPC、AI服务器等应用。采用5nm CMOS工艺,功耗仅6.5W。

在线留言

在线留言