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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  PMTA-1315-SSPA自动液位控制放大器 2024-05-24 09:17:24

  PMT-1315-SSPA是一款专为14.0 MHz频率设计的自动液位控制放大器，具有密封模块、良好的单元间重复性、低阻抗、低噪声系数，以及广泛的工作温度范围（-50°C至100°C），并符合RoHS标准。该放大器适用于需要高噪声控制和稳定性的应用环境，提供高品质和高可靠性。